氧化鋅納米粉體是一種常用于鈣鈦礦太陽能電池中的材料，具有高純度和良好穩(wěn)定性，能有效傳輸電子，提升電池性能。在低溫條件下就能形成薄膜，適合制作柔性鈣鈦礦太陽能電池，經(jīng)過上千次彎折后性能損失小，比傳統(tǒng)材料表現(xiàn)更穩(wěn)定。
一、核心優(yōu)勢：低溫制備與柔性適配性
室溫 / 低溫成膜，突破基底限制
納米 ZnO 分散液（粒徑通常 5-20 nm）可通過旋涂、刮涂、噴墨打印等方式，在室溫或低至 80-120℃下形成致密 ETL 薄膜，無需高溫退火（傳統(tǒng) TiO?需 450℃以上）。
該特性可適配不耐高溫的柔性基底（如 PET、PI 薄膜），為柔性鈣鈦礦器件科研提供核心支撐 —— 例如在 PET 基底上制備的柔性 PSC，基于納米 ZnO ETL 的器件彎曲 1000 次后，效率保留率仍達 80% 以上，遠高于高溫制備的 TiO?基柔性器件（約 50%）。
分散性優(yōu)異，工藝兼容性強
商用納米 ZnO 分散液通常經(jīng)表面改性（如 PEG 修飾），在水、乙醇、異丙醇等常見溶劑中分散穩(wěn)定（靜置 3 個月無沉降），可直接與鈣鈦礦前驅體溶液兼容，無需額外調整溶劑體系。
科研中可通過調控分散液濃度（0.5-5 mg/mL）靈活控制 ETL 厚度（10-50 nm），適配不同鈣鈦礦層厚度（300-600 nm），滿足單節(jié)、疊層等不同器件結構的科研需求。
二、電子傳輸性能：高效載流子提取與寬光譜適配
高電子遷移率，減少復合損耗
納米 ZnO 的電子遷移率達 20-50 cm2/(V?s)，雖低于 SnO?，但顯著高于傳統(tǒng)有機傳輸層（如 PCBM，1-10 cm2/(V?s)），可快速提取鈣鈦礦層產(chǎn)生的光生電子，降低電子 - 空穴對復合概率。
99.9% 高純度分散液可避免雜質（如 Fe3?、Cu2?）引入復合中心，基于其 ETL 的 PSC 短路電流密度（Jsc）可達 25-27 mA/cm2，接近 SnO?基器件水平，為中高效鈣鈦礦器件科研提供高性價比選擇。
寬禁帶透明性，提升光利用率
納米 ZnO 禁帶寬度約 3.2-3.3 eV，僅吸收紫外光（＜380 nm），對可見光（400-800 nm）透過率超 90%，可減少 ETL 層的光吸收損耗，提升鈣鈦礦層的光子利用率。
對比 TiO?（禁帶 3.2 eV，近紫外區(qū)有微弱吸收），納米 ZnO ETL 可使 PSC 的 Jsc 提升 3%-5%，尤其適配窄帶隙鈣鈦礦（如 FAPbI?，1.48 eV）的近紅外光吸收需求。
三、功能拓展性：界面修飾與低成本科研
界面缺陷鈍化，優(yōu)化器件性能
納米 ZnO 表面的羥基（-OH）與氧空位可與鈣鈦礦表面未配位的 Pb2?、I?結合，鈍化界面缺陷，減少非輻射復合 —— 例如在 CsPbI?鈣鈦礦 / ZnO 界面引入分散液后，器件開路電壓（Voc）從 0.9 V 提升至 1.05 V，填充因子（FF）從 72% 升至 78%。
科研中可通過 “ZnO 分散液 + 有機配體（如 PEA?）” 復合修飾，構建二維 / 三維鈣鈦礦異質結，進一步提升界面穩(wěn)定性，為鈣鈦礦界面工程研究提供靈活工具。
低成本與快速迭代，適配科研效率需求
納米 ZnO 分散液制備成本僅為 SnO?溶膠的 1/3-1/2，且無需復雜合成步驟（可直接商用采購），適合科研中大量樣品的快速制備與參數(shù)篩選（如不同 ZnO 粒徑、濃度對器件性能的影響）。
噴墨打印工藝適配性強：分散液的低粘度與穩(wěn)定性可滿足噴墨打印需求，為鈣鈦礦器件的大面積、圖案化制備科研提供可行路徑，助力產(chǎn)業(yè)化前期的工藝探索。
?總結
納米 ZnO 分散液憑借 “低溫成膜 + 柔性適配 + 低成本 + 分散穩(wěn)定” 的核心優(yōu)勢，在鈣鈦礦科研領域（尤其柔性器件、快速工藝驗證、低成本體系開發(fā)）展現(xiàn)出獨特價值。雖在長期穩(wěn)定性（易被 I?腐蝕）上不及 SnO?，但通過界面修飾（如 Al?O?包覆）可有效改善，成為科研中平衡性能、成本與工藝門檻的理想選擇，助力鈣鈦礦器件的多樣化研究與產(chǎn)業(yè)化前期探索。
滬公網(wǎng)安備31011402010658號